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场效应MOS管HUF75329D3ST参数

PD最大耗散功率:128WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.026ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75329D3ST是一款N沟道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),广泛应用于各种电子设备中,其具体应用场景包括但不限于以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在电源管理系统中,HUF75329D3ST经常被用作开关元件,以高效控制电流的通断。其低导通电阻和快速开关特性,使其在开关电源和直流-直流转换器中表现优异。

    2. 电机控制:在电动机驱动电路中,HUF75329D3ST能够提供足够的电流和电压支持,从而实现对电动机的精确控制。其高电流能力和耐高压特性,使其在工业自动化和机器人领域中得到了广泛应用。

    3. 光伏逆变器:光伏逆变器需要高效转换直流电为交流电,HUF75329D3ST的高效率和高可靠性使其成为此类应用的理想选择。它能够有效减少能量损失,提升系统整体效率。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,HUF75329D3ST被用于各种控制单元,如发动机控制单元(ECU)、照明系统和电池管理系统等。其耐高温和高压特性,使其在苛刻的汽车环境中表现稳定。

    5. 消费电子:在智能手机、笔记本电脑等消费电子产品中,HUF75329D3ST常用于电池管理和电源适配器中。其小尺寸和高效率,使其能够满足便携式设备对功耗和空间的严格要求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUF75329D3ST的导通电阻非常低,仅为2.4毫欧姆(在10V Vgs时)。这意味着在导通状态下,它的电流损耗非常小,有助于提高电路的整体效率。

    - 高电流能力:它能够承受高达75安培的连续漏极电流(ID),这使其适用于高电流应用,如电机驱动和电源转换器等。

    - 耐高压:HUF75329D3ST的最大漏源电压(VDS)为55伏特,能够在较高电压条件下稳定工作,这使其在需要耐高压的应用中非常可靠。

    - 快速开关速度:其开关速度非常快,典型的上升时间(tr)和下降时间(tf)分别为50纳秒和30纳秒。这使其在高频应用中,能够有效减少开关损耗,提高电路效率。

    - 高温稳定性:HUF75329D3ST的结温范围为-55℃至+175℃,这意味着它能够在极端温度条件下可靠工作,适用于汽车和工业应用等对温度要求较高的环境。

    通过对HUF75329D3ST的应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出其在各种电子设备中的重要作用和卓越性能。其低导通电阻、高电流能力、耐高压、快速开关速度和高温稳定性,使其成为众多高性能电路的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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