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场效应MOS管FDP10AN06AO参数

PD最大耗散功率:135WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.0105ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP10AN06AO是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器和稳压器:FDP10AN06AO在DC-DC转换器和AC-DC转换器中,作为开关元件,能够高效地进行电压转换和调节,提升系统的整体效率。

    2. 电机控制:在电机驱动电路中,FDP10AN06AO通过快速开关动作控制电机的转速和方向,广泛应用于家用电器、电动工具和工业自动化设备中。

    3. 电池管理系统:在锂电池和其他类型电池的充放电管理中,FDP10AN06AO用于控制充电电流和保护电池,确保电池的安全和长寿命。

    4. 负载开关和保护电路:在负载开关和过流保护电路中,FDP10AN06AO能够迅速响应电流变化,保护敏感电子元件免受过流和短路损害。

    5. 照明系统:在LED驱动电路和智能照明系统中,FDP10AN06AO用于控制电流,实现稳定的亮度输出和节能效果。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDP10AN06AO的典型导通电阻(RDS(on))为10毫欧(mΩ),在高电流情况下能够显著降低功率损耗,提高系统效率。

    - 高电流处理能力:FDP10AN06AO的连续漏极电流(ID)为60安培(A),脉冲漏极电流(IDM)高达240安培(A),适用于大功率负载控制和开关应用。

    - 耐高压:FDP10AN06AO的漏源极耐压(VDSS)为60伏特(V),能够在较高电压环境下稳定工作,满足各种工业和消费电子产品的需求。

    - 快速开关速度:FDP10AN06AO具有快速的开关特性,开关时间短,有效降低了开关损耗,提升了电路的整体性能和响应速度。

    - 热性能优良:FDP10AN06AO采用先进的封装技术,具有较低的热阻(RθJC),有效散热能力强,在高温工作环境下依然能保持稳定运行。

    综上所述,FDP10AN06AO凭借其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压、快速开关速度和优良的热性能,在电源转换、电机控制、电池管理、负载开关和照明系统等应用中表现出色,是一款性能优越的N沟道功率MOSFET。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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