| 标准包装 | 3,000 |
| 包装 | 标准卷带 |
| 零件状态 | 在售 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）25°C 时 | 10A |
| 不同Id，Vgs 时的 Rds On最大值 | 13 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）最大值 | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs时的栅极电荷Qg最大值 | 17nC @ 10V |
| 不同 Vds时的输入电容Ciss最大值 | 910pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
工厂地址：安徽省六安市金寨产业园区
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