| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id） （25°C 时） | 6A |
| 不同Id，Vgs时的Rds On（最大值） | 35 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs时的栅极电荷（Qg）最大值 | 16nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容Ciss最大值 | 760pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
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