| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）25°C时 | 10.5A（Ta） |
| 驱动电压最大Rds On最小Rds On | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs时的Rds On最大值 | 14 毫欧 @ 11.6A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）最大值 | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs时的栅极电荷Qg最大值 | 24nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同Vds时的输入电容Ciss最大值 | 1200pF @ 15V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
工厂地址：安徽省六安市金寨产业园区
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