| 标准包装 | 3,000 |
| 包装 | 标准卷带 |
| 零件状态 | 在售 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 产品族 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| FET 类型 | P 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）25°C时 | 6.5A（Ta） |
| 驱动电压最 Rds On最小Rds On | 4.5V，10V |
| 不同Id,Vgs 时的 Rds On最大值 | 46 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）最大值 | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs时的栅极电荷Qg最大值 | 16nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同Vds时的输入电容Ciss最大值 | 830pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
工厂地址：安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址：深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址：中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处：杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话：13534146615
企业QQ：2881579535
深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号：粤ICP备2020121154号
