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场效应晶体管STS9NH3LL参数

产品种类MOSFET
技术Si
安装风格SMD/SMT
封装/箱体SOIC-8
通道数量1Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压30V
Id-连续漏极电流9A
RdsOn-漏源导通电阻19mOhms
Vgs-栅极-源极电压18V
最小工作温度-55C
最大工作温度+150C
配置SingleQuadDrainTripleSource
Pd-功率耗散2.5W
通道模式Enhancement
封装CutTape
封装Reel
高度1.65mm
长度5mm
系列STS9NH3LL
晶体管类型1N-Channel
宽度4mm
下降时间8ns
产品类型MOSFET
上升时间14.5ns
工厂包装数量2500
子类别MOSFETs
典型关闭延迟时间23ns
典型接通延迟时间12ns
单位重量506.600mg
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    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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