产品种类 | MOSFET |
技术 | Si |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/箱体 | SOIC-8 |
通道数量 | 1Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 30V |
Id-连续漏极电流 | 9A |
RdsOn-漏源导通电阻 | 19mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 | 18V |
最小工作温度 | -55C |
最大工作温度 | +150C |
配置 | SingleQuadDrainTripleSource |
Pd-功率耗散 | 2.5W |
通道模式 | Enhancement |
封装 | CutTape |
封装 | Reel |
高度 | 1.65mm |
长度 | 5mm |
系列 | STS9NH3LL |
晶体管类型 | 1N-Channel |
宽度 | 4mm |
下降时间 | 8ns |
产品类型 | MOSFET |
上升时间 | 14.5ns |
工厂包装数量 | 2500 |
子类别 | MOSFETs |
典型关闭延迟时间 | 23ns |
典型接通延迟时间 | 12ns |
单位重量 | 506.600mg |
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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