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场效应MOS管15NM60N参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:14AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.299ΩVRDS(ON)ld通态电流:7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    15NM60N是一种功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:15NM60N常用于开关电源和电压调节模块中,因其具备高效的开关速度和低导通电阻,可以提高系统的能效和稳定性。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,15NM60N能够提供高效的电流控制和快速的响应时间,适用于直流电机(DC Motor)和步进电机的控制。

    3. 太阳能逆变器:太阳能系统中的逆变器需要高效的电力转换器件,15NM60N在此类应用中因其高耐压和高效率特性,能够有效提升能源转换效率。

    4. 照明系统:尤其在LED驱动电路中,15NM60N可以提供稳定的电流控制,确保LED光源的长寿命和高亮度输出。

    5. UPS(不间断电源):在UPS系统中,15NM60N的快速开关能力和高可靠性,使其成为保证电力供应稳定的重要元件。

    二、参数特点:

    - 额定电压:15NM60N的漏源极电压(V_DS)为600V,这意味着它能够在高压环境下稳定工作,适用于需要高压操作的场景。

    - 额定电流:其连续漏极电流(I_D)为15A,这使得15NM60N能够处理较大电流,适用于高功率应用。

    - 导通电阻:15NM60N的典型导通电阻(R_DS(on))仅为0.19Ω,这意味着在导通状态下的功率损耗较低,提高了整体效率。

    - 开关速度:15NM60N具有极快的开关速度,通常其上升时间和下降时间分别为几十纳秒量级,这对于需要快速响应的电路应用非常重要。

    - 热特性:15NM60N具备良好的热管理性能,其结温范围(T_j)为-55°C至150°C,并且封装设计有助于散热,这确保了其在高温环境下的稳定运行。

    综上所述,15NM60N凭借其高额定电压、大电流处理能力、低导通电阻、快速开关速度和良好的热特性,广泛应用于电源管理、电机驱动、太阳能逆变器、照明系统和不间断电源等领域,成为电子工程师和电力系统设计师们的重要选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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