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增强型N沟道场效应管的电池反接保护电路解析

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2019-12-09 浏览:-

增强型N沟道场效应管的电池反接保护电路解析

一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法,在电池接反时,PN结反接无电压降,但在正常工作时有0.6~0.7V的管压降。采用导通电阻低的增强型N沟道场效应管(MOSFET)具有极小的管压降(RDS(ON)×ID),如Si9410DY的RDS(ON)约为0.04Ω,则在lA时约为0.04V。

增强型N沟道场效应管

功率场效应管(MOSFET)典型应用电路

1、电池反接保护电路

电池反接保护电路如图9所示。一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法,在电池接反时,PN结反接无电压降,但在正常工作时有0.6~0.7V的管压降。采用导通电阻低的增强型N沟道场效应管(MOSFET)具有极小的管压降(RDS(ON)×ID),如Si9410DY的RDS(ON)约为0.04Ω,则在lA时约为0.04V。这时要注意在电池正确安装时,ID并非完全通过管内的二极管,而是在VGS≥5V时,N导电沟道畅通(它相当于一个极小的电阻)而大部分电流是从S流向D的(ID为负)。而当电池装反时,场效应管(MOSFET)不通,电路得以保护。

NMOS管接在电源的负极,栅极高电平导通。

PMOS管接在电源的正极,栅极低电平导通。

2、触摸调光电路

一种简单的触摸调光电路如图10。当手指触摸上触头时,电容经手指电阻及100k充电,VGS渐增大,灯渐亮;当触摸下触头时,电容经

100k及手指电阻放电,灯渐暗到灭。

3、甲类功率放大电路

由R1、R2建立VGS静态工作点(此时有一定的ID流过)。当音频信号经过C1耦合到栅极,使产生-△VGS,则产生较大的△ID,经输出变压器阻抗匹配,使4~8Ω喇叭输出较大的声功率。图ll中Dw为9V稳压二极管,是保护G、S极以免输入过高电压而击穿。从图中也可以看出,偏置电阻的数值较大,因为栅极输入阻抗极高,并且无栅流。

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