〔壹芯〕生产IRF3205场效应管110A-55V,参数达标,质量稳定
场效应管(MOSFETS)
型号:IRF3205 极性:N
IDA(A):110 VDSS(V):55
RDS(on) MAX(Ω):0.008 VGS(V):10
VGS(th) (V):2~4
Gfs(min) (S):44 Vgs(V):25 Io(A):62
封装:TO-220
知识科普
电力场效应晶体管的基本特性
1.输出特性iD=(uDS)
在N沟道增强型VMOSFET中,当栅-源极电压uGS为负值时,栅极下面的P型区呈现空穴的堆积状态,不可能出现反型层,无法沟通源区与漏区。即使栅-源极电压为正,但数值不够大时栅极下面的P型体区表面呈现耗尽状态,也不会出现反型层,同样无法沟通源区与漏区。
在这两种状态下VMOSFET都处于截止状态,即使加以漏极电压uDS,也没有漏极电流iD出现。
只有当栅-源极间电压uGS达到或超过强反型条件时,栅极下的P型体区表面才会发生反型,形成N型表面层并把源区和漏区联系起来,使VMOSFET进入导通状态。栅-源极电压uGS越大,反型层越厚(即沟道越宽),则漏极电流越大。
可见漏极电流iD受栅-源极电压uGS的控制,以栅-源极电压uGS为参变量反映漏极电流iD与漏-源极间电压uDS间关系的曲线族称为VMOSFET的输出特性,如图1.6所示。输出特性分为三个区域,可调电阻区I、饱和区Ⅱ和雪崩区Ⅲ。
在可调电阻区I,器件的电阻值是变化的。因为一定的栅-源极电压对应一定的沟道,由于沟道已经形成,只要有很小的漏-源极电压uDS,就可以流过一定的漏极电流iD。由于漏-源极电压较小,它对沟道的影响可以忽略不计,这样沟道宽度和沟道电子的迁移率几乎不变,所以iD与nDS几乎呈线性关系。
图l.6 VMOSFET的输出特性iD=f(uDS)
当uDS较大后,情况有所不同:一方面随着uDS的增加,靠近漏区一端的沟道要逐渐变窄;另一方面沟道电子将达到散射极限,速度不继续增加。于是,尽管uDS继续增加,但iD增加缓慢,使沟道的有效阻值逐渐增加,直至靠近漏区一端的沟道被夹断或沟道电子达到散射极限速度,才能使沟道电子的运动摆脱沟道电场的影响,开始进入饱和区Ⅱ。此后漏极电流iD趋于稳定不变,即特性曲线趋于与横轴平行。
如以后继续增大漏-源极电压,当漏极PN结发生雪崩击穿时,漏极电流iD突然剧增,曲线再次转折进入雪崩区皿,直至器件损坏,在应用中应避免这种情况出现。
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