〔壹芯〕生产80N07场效应管80A-70V,参数达标,质量稳定
场效应管(MOSFETS)
型号:80N03 极性:N
IDA(A):80 VDSS(V):70
RDS(on) MAX(Ω):0.0085 VGS(V):10
VGS(th) (V):2~4
Gfs(min) (S):60 Vgs(V):20 Io(A):40
封装:TO-220 TO-252
VDMOSFET的知识科普
垂直导电的双扩散MOS结构称为VDMOSFET,其典型结构如图1.5所示。
沟道部分是由同一扩散窗利用两次扩散形成的P型体区和N+型源区的扩散深度差形成的,沟道长度可以精确控制。电流在沟道内沿表面流动,然后垂直地被漏极吸收。由于漏极也是从硅片底部引出,所以可以高度集成化。漏-源极间施加电压后,由于耗尽层的扩散使栅极下的MOSFET部分几乎保持在一定的电压下,因此可使耐压提高。
在这种结构的基础上,VDMOSFET在高集成度、高耐压、低反馈电容和高速性能方面不断改进提高,出现了诸如TMOS、HEXFET、SIP-MOS、Ω-MOS等一大批结构各异的新器件。它们采用新的结构图形把成千上万个MOS-FET单元并联连接,实现了大电流化。
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