〔壹芯〕生产50N06场效应管50A-60V,参数达标,质量稳定
场效应管(MOSFETS)
型号:50N06 极性:N
IDA(A):50 VDSS(V):60
RDS(on) MAX(Ω):0.016 VGS(V):10
VGS(th) (V):2~4
Gfs(min) (S):40 Vgs(V):25 Io(A):26.2
封装:TO-220 TO-252
知识科普
电力场效应晶体管的基本特性之饱和特性
电力MOSFET的饱和特性如图(1.7)所示,由于电力MOSFET的通态电阻较大,所以饱和压降也大。这是因为它不像GTR那样有超量存储电荷,它是单极型器件,没有载流子的存储效应。为了降低通态电阻,在设计上要采取一些措施。
以美国MOTOROLA公司的TMOS器件为例,其通态电阻Ron由四部分组成:反型层沟道电阻rCH、栅-漏积聚区电阻rACC、FET夹断区电阻rJFET、轻掺杂漏极区电阻rD,如图(1.8)所示。沟道电阻rcH随着沟道长度而增加,结的夹断电阻rJFET与外延区电阻率和电极宽度成正比,与沟道宽度成反比。
为了提高器件的耐压能力,要求外延区电阻率要高、漏区要厚,其结果是rD增大,也使Ron增大。可见,对耐压和Ron的要求是相互矛盾的,Ron随温度变化近似呈线性关系,如图(1.9)所示。图(1.9)还表明,器件电压越高,Ron随温度变化越显著。在这样的温度条件下,器件额定电压越高,其Ron值就越大。
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