〔壹芯〕生产50N06场效应管50A-60V,参数达标,质量稳定

场效应管(MOSFETS)

型号：50N06　　　　　　　极性：N

IDA(A)：50　　　　　　　VDSS(V)：60

RDS(on)　MAX(Ω)：0.016　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：40　Vgs(V)：25　Io(A)：26.2

封装：TO-220 TO-252

知识科普

电力场效应晶体管的基本特性之饱和特性

电力MOSFET的饱和特性如图(1.7)所示，由于电力MOSFET的通态电阻较大，所以饱和压降也大。这是因为它不像GTR那样有超量存储电荷，它是单极型器件，没有载流子的存储效应。为了降低通态电阻，在设计上要采取一些措施。

以美国MOTOROLA公司的TMOS器件为例，其通态电阻R_on由四部分组成：反型层沟道电阻r_CH、栅-漏积聚区电阻r_ACC、FET夹断区电阻r_JFET、轻掺杂漏极区电阻r_D，如图(1.8)所示。沟道电阻rcH随着沟道长度而增加，结的夹断电阻r_JFET与外延区电阻率和电极宽度成正比，与沟道宽度成反比。

为了提高器件的耐压能力，要求外延区电阻率要高、漏区要厚，其结果是r_D增大，也使R_on增大。可见，对耐压和R_on的要求是相互矛盾的，R_on随温度变化近似呈线性关系，如图(1.9)所示。图(1.9)还表明，器件电压越高，R_on随温度变化越显著。在这样的温度条件下，器件额定电压越高，其R_on值就越大。

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