壹芯微科技〔壹芯〕研发生产直销「MBR40200CT/FCT」双二极管,VRRM:150V/IF(AV):40A,多种封装,优质现货,高质量,高标准,提供推荐选型,免费样品,欢迎咨询

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MBR40200CT.数据表(PDF):查看下载

(40A肖特基势垒整流器)

主要参数

最高反向峰值电压(VRRM)：200Vpk

最大平均整流电流(IF)：40Aav

最大峰值浪涌电流(IFM(Surge))：400Apk

最大反向漏电流(IR@VRRM)：5.0UAds

正向压降(VF@IF)：10Apk

正向压降(VF@IF)：0.95Vpk

封装(PAKAGE)：TO-220/TO-220F/TO-263/TO-247

MBR40200CT/CT(TO-220)引脚

肖特基结二极管

在理解了PN结二极管的工作原理之后，可以比较容易理解由金属与掺杂半导体接触形成的肖特基结二极管的工作原理。如图2.5所示，金属与半导体在交界处形成阻挡层，处于平衡态的阻挡层对外电路呈中性。以N型半导体为例，当在金属端外加正电压时，从半导体到金属的电子数目超过从金属到半导体的电子数，平衡被打破，形成一股从金属到半导体的正向电流，该电流是由半导体中多数载流子构成的。加反向电压时，从半导体到金属的电子数目减少，金属到半导体的电子流占优势，形成从半导体到金属的反向电流。由于从金属到半导体的电子流是恒定的。当反向电压提高，使半导体到金属的电子流可以忽略不计时，反向电流将趋于饱和。可见，阻挡层具有类似于PN结的伏安特性。

图2.5 金属与半导体接触

在基于GaAs和InP的MESFET和HEMT器件中，其金属栅极与沟道材料之间形成的结就属于肖特基结。因此，它们的等效电路中通常至少包含栅-源和栅-漏两个肖特基结二极管。

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