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WFD4N60场效应管参数,WFD4N60规格书,MOS管厂家直销

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-11-10 浏览:-

WFD4N60场效应管参数,WFD4N60规格书,MOS管厂家直销

WFD4N60场效应管参数及代换 (600V,4A) WFD4N60引脚图 WFD4N60中文资料规格书(PDF)

WFD4N60引脚图

WFD4N60.pdf 规格书下载

WFD4N60详细参数如下

极性:NPN

DrainSourceVoltage漏源电压,VDSS:600V

GateSourceVoltage栅源电压,VGSS:±30V

ContinuousDrainCurrent持续漏极电流(@Tc=25℃),ID:4A

ContinuousDrainCurrent持续漏极电流(@Tc=100℃),ID:2.5A

TotalPowerDissipation总功耗(@Tc=25℃),PD:80W

JunctionAndStorageTemperature结点和存储温度,TJ,TSTG:-55~150°C

WFD4N60规格书

WFD4N60规格书

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