数字晶体管的放大倍数GI及普通晶体管hFE有区别吗
本文介绍了数字晶体管(Digital Transistor)选定方法,电流放大倍数GI和hFE的区别,以及温度特性和输出电压-输出电流特性。
数字晶体管的工作原理
根据数字晶体管工作原理,使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1,输入电阻R1是±30%,E-B间的电阻R2/R1=±20%,VBE一般为0.55-0.75V。
如果作为开关使用,需要饱和状态的电流比率IC/IB=20/1。
在数字晶体管中,IO和IC是有区别的。其中:IC表示能够通过晶体管的电流的最大理论值,IO表示能够作为数字晶体管使用的电流的最大值。
数字晶体管IO和IC电路的区别
以ROHM公司的DTA/C系列为例,构成数字晶体管的个别晶体管能流过100mA电流,用IC=100mA定义。如果这些晶体管连接电阻R1、R2,则成为数字晶体管。
这些数字晶体管流过IC=100mA时,基极电流IB需要相对应的电流値,其结果需要高的输入电压VIN。
根据绝对最大额定值限制,由输入电阻R1的功率许容值(封装功率)决定输入电压VIN(max)。电流IC=100mA流过时,可能超过这个额定值,在不超过VIN(max)条件下,数字晶体管中流过的电流值定义为IO。
所以,绝对最大额定值被定义为“不能同时提供2项以上”,仅用IC标记没有问题,但结合客户实际使用状态,合并标记为IO。因此,电路设计探讨中此IO即为绝对最大额定值。
可见,数字晶体管与普通晶体管相比,只是增加了一个R1,或两个偏压电阻(R1和R2)。
GI和hFE的区别
按照定义,hFE是晶体管的直流电流放大倍数,GI是数字晶体管的直流电流放大倍数。
数字晶体管电阻器链接电路图
虽然GI和hFE都表示发射极接地直流电流放大率,由于数字晶体管在普通晶体管上连接了2个电阻器,放大倍数不因输入电阻R1而下降。在仅有输入电阻R1时,放大倍数表示为hFE,与普通晶体管hFE相等。
如果在E-B间附加了一个电阻器R2,输入电流则分为流过普通晶体管的电流和流过E-B间电阻R2的电流。此时,放大倍数比单体时的hFE有所下降,此值称为GI表示数字晶体管的放大倍数。
也就是说,数字晶体管将电路图中常见的两个电阻器R1、R2从PCB线路板上移植到了晶体管封装内,形成一个简单的混合集成电路,使晶体管的输出线性更好、工作状态更稳定,还节省了PCB空间。
壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615
企业QQ:2881579535
深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号