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瞬态抑制二极管的特点是反应速度快，体积小，脉冲功率较大，钳位电压低等。瞬态抑制二极管被广泛应用于半导体及敏感器件的保护，通常用于二极电源和信号电路的保护，基本都是用于在陶瓷气体放电管之后的二极保护，也有用户直接将其用于产品的一级保护。

下面分享一下瞬态抑制二极管的选型窍门：

首先，确定被保护电路的最大直流货连续工作电压、电路的额定标准电压和最大容限。

其次，瞬态抑制二极管的额定反向电压应大于或等于被保护电路的最大工作电压，若选用的关断电压太低，器件可能进入雪崩或因为反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。

第二，瞬态抑制二极管的最大钳位电压VC应小于被保护电路的算还电压。

第三，在规定的脉冲持续时间内，瞬态抑制二极管的最大峰值脉冲功耗PM必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定了最大钳位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。

第四，对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的瞬态抑制二极管器件。

第五，根据用途选用瞬态抑制二极管的极性及封装结构，交流电路选用双极性瞬态抑制二极管比较合理，多线保护选用TVS阵列更为有利。

最后，关于温度的考虑，瞬态抑制二极管的工作温度可以在-55~+150℃。如果需要瞬态抑制二极管在一个变化的温度工作，由于其反向漏电流ID是随着增加而增加；功耗随瞬态抑制二极管结温增加而下降，从+25℃到+175℃，大约线性下降50%的击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加。因此，必须要考虑温度变化对其特性的影响。

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