SSF5NS70D场效应管参数中文资料 现货替代 厂家直营 - 壹芯微
型号:SSF5NS70D 极性:N沟道;电压:700V 电流:5A;封装:TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销
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SSF5N50D的概述:
SSF5NS70G/D/F系列MOSFET是一项新技术,结合了创新技术和推进过程。 这项新技术实现了低Rdson、节能、高可靠性和均匀性、卓越的功率密度和节省空间。
SSF5N50D的特性:
高dv/dt和雪崩能力
100%雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低栅极输入电阻
SSF5N50D的绝对最大额定值(TC = 25°C,除非另有说明):
ID@TC=25°C,ContinuousDrainCurrent持续漏极电流,VGS@10V:5①A
ID@TC=100°C,ContinuousDrainCurrent持续漏极电流,VGS@10V:3.1①A
IDM,PulsedDrainCurrent脉冲漏极电流②:15A
PD,@TC=25°C,PowerDissipation功耗③
TO-251/TO-252,Package封装:50W
TO-220F,Package封装:31.2W
PD@TC=25°C,CLinearDeratingFactor线性降额因数
对于TO-251/TO-252,Package封装:0.4W/°C
对于TO-220F,Package封装:0.25W/°C
VDS,Drain-SourceVoltage漏源电压:700V
VGS,Gate-to-SourceVoltage栅源电压:±30V
EAS,SinglePulseAvalancheEnergy单脉冲雪崩能量@L=22.4mH:54mJ
IAR,AvalancheCurrent雪崩电流@L=22.4mH:2.2A
TJ,TSTG,OperatingJunctionandStorageTemperatureRange工作结点和存储温度范围:-55to+150°C
壹芯微SSF5NS70D规格书下还有热特性,静态特性与电气参数等,建议自行阅读观看。
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