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SiHFR320场效应管参数代换,SiHFR320规格书下载,MOS管生产厂家

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-11-11 浏览:-

SiHFR320场效应管参数代换,SiHFR320规格书下载,MOS管生产厂家

SiHFR320场效应管参数及代换 (400V,3.1A) SiHFR320引脚图 SiHFR320中文资料规格书(PDF)

SiHFR320引脚图

SiHFR320.pdf 规格书下载

SiHFR320详细参数如下

参数符号单位
漏极-源极电压VDSS400V
栅极-源极电压VGSS±20V
雪崩电流IAR3.1A
栅极-源极电压ID3.1A
漏极电流-脉冲IDM12A
单脉冲雪崩能量EAS160mJ
重复雪崩能量EAR4.2mJ
二极管恢复峰值dv/dt4V/ns
功耗,TC = 25 °CPD42W
功耗,TA =   25 °C2.5
结温TJ150 °С
工作温度TOPR-55~+150 °С
储存温度TSTG-55~+150 °С

SiHFR320规格书


SiHFR320规格书

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