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在正常情况下,反向偏置PN结中只有很小的电流。该泄漏电流保持恒定,直到反向电压超过某个值。在此值之后,PN结突然开始具有大电流传导(图1.15)。这种突然和显着的反向传导是反向击穿,如果没有外部措施限制电流,可能会对器件造成损坏。反向击穿通常设定固态器件的最大工作电压。但是,如果采取适当的预防措施来限制电流,则反向击穿可以用作非常稳定的参考电压。
图1.15 PN结二极管的反向击穿实际上,结的击穿电压不仅与其掺杂特性有关,而且与其几何形状有关。上面的讨论分析了平面结,其中两个均匀掺杂的半导体区域在一个平面中相交。虽然一些真正的结接近这个理想,但大多数结是弯曲的。曲率增强了电场并降低了击穿电压。曲率半径越小,击穿电压越低。该效应对薄结的击穿电压有很大影响。大多数肖特基二极管在金属 - 硅界面的边缘处具有明显的故障。除非有特殊措施来削弱肖特基势垒边缘的电场,否则电场增强可以大大降低肖特基二极管的测量击穿电压。
图1.16是上面讨论的所有电路符号。 PN结使用直线表示阴极,而肖特基二极管和齐纳二极管对阴极端进行一些修改。在所有这些图例中,箭头的方向表示二极管正向偏置下的电流方向。在齐纳二极管中,此箭头可能有些误导,因为齐纳二极管通常在反向偏置状态下工作。对于不经意的观察者,该符号应插入短语“方向反转”旁边。壹芯微科技针对二极管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍
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