收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

“壹芯”做好二、三极管各式优质二、三极管选壹芯微

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微资讯中心 » 常见问题解答 » pmos基础知识-pmos导通条件解析-pmos型号参数选型

pmos基础知识-pmos导通条件解析-pmos型号参数选型

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2019-06-28 浏览:-

壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,pmos基础知识-pmos导通条件解析-pmos型号参数选型,请看下方

pmos管

PMOS晶体管

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,柵极上加有足够的正电压(源极接地)时,柵极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式,一般CMOS的电源电压选择在10~12V就能满足PMOS对输入电平的要求。

PMOS导通条件

P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2.8V

如果S为2.8V,G为2.8V,VGSw

那么mos管不导通,D为0V,

所以,如果2.8V连接到S,要mos管导通为系统供电,系统连接到D,利用G控制。

那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上,才能使mos管关断,低电平使mos管导通。

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V,那么GPIO高电平的时候为1.8V,GS为1.8-2.8=-1V,mos管导通,不能够关断。

GPIO为低电平的时候,假如0.1V,那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。

当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为5V,G为4V,那么GS=-1V,mos管导通,D为5V

PMOS管型号选型

Part Numbe ID(A) VDSS(V) RDS(ON)(Ω)

23P10A -23 -100 0.95

35P10A -35 -100 0.055

8610A -35 -100 0.055

2301 -2.8 -20 0.12

2305 -3.5 -20 0.055

3401 -4 -30 0.06

3407 -4.1 -30 0.06

3409 -2.6 -30 0.13

3415 -4 -16 0.045

3423 -2 -20 0.092

4953 -5.3 -30 0.063

9435 -5.3 -30 0.06

7P03A -7.5 -30 0.018

4435 -10.5 -30 0.018

壹芯微科技针对二三极管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍

推荐阅读

【本文标签】:二极管 快恢复二极管 整流二极管 桥堆 肖特基二极管

【责任编辑】:壹芯微 版权所有:http://www.szyxwkj.com/转载请注明出处

最新资讯

1分析mos芯片输出驱动为什么一般用pmos做上管 nmos做下管

2MOS管知识-一清晰区分MOS NMOS PMOS CMOS(从原理的视角)

3mos管功耗-mos管功耗计算方法和MOS驱动基础

4场效应管知识详解-细说场效应管类型和其他知识(图文)

5MOS管源极及漏极是否可以互换使用分析

6MOS管日常科普知识-10分钟详细图解MOS管的结构原理介绍

7电源设计知识详解-电源设计中的去耦电容应用实例

8mos管炸机-MOS管炸不炸机 原因的关键看这里

9详解MOS管阈值电压和沟长和沟宽的关系及影响阈值电压的因素

10器件发热导致的MOS管损坏之谜及MOS管发热如何解决

全国服务热线13534146615

地 址/Address

工厂地址:深圳市光明新区公明屋园路138号城德轩工业园E栋
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579534

扫一扫!

深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备15080555号