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P沟道场效应MOS管作为开关作用的条件(GS >GS(TH)) - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-24 浏览:-

P沟道场效应MOS管作为开关作用的条件(GS >GS(TH)) - 壹芯微

P沟道场效应MOS管作为开关作用的条件(GS >GS(TH)) - 壹芯微

P沟道(场效应)MOS管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为2.8V,G为1.8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为2.8V;如果S为2.8V,G为2.8V,VGSw,那么mos管不导通,D为0V,所以,如果2.8V连接到S,要mos管导通为系统供电,系统连接到D,利用G控制。那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上,才能使mos管关断,低电平使mos管导通。

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V,那么GPIO高电平的时候为1.8V,GS为1.8-2.8=-1V,MOS管导通,不能够关断。

GPIO为低电平的时候,假如0.1V,那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。


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