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P0460AD场效应管参数_规格书下载(替代国外品牌型号)MOS管生产厂家

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-11-29 浏览:-

P0460AD场效应管参数_规格书下载(替代国外品牌型号)MOS管生产厂家

P0460AD参数及代换,P0460AD封装引脚图,P0460AD规格书(数据手册)

P0460AD(TO-252)


(图:P0460AD MOS场效应管 TO-252封装引脚图)

壹芯微供应P0460AD系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。

P0460AD场效应管主要参数如下:

参数符号单位
漏极-源极电压VDSS600V
栅极-源极电压VGSS±30V
雪崩电流IAS3A
栅极-源极电压ID4A
漏极电流-脉冲IDM20A
单脉冲雪崩能量EAS45mJ
重复雪崩能量EAR-mJ
二极管恢复峰值dv/dt-V/ns
功耗,(TC = 25°C)PD78W
工作结温范围TJ-55~150 °С
贮存温度范围TSTG-55~150 °С
热阻-结到外壳RθJC1.6°C/W
热阻 - 结到环境RθJA62.5°C/W

(参数表:绝对最大额定参数与电气特性等)

P0460AD.PDF规格书/数据手册(点击红色字体下载)

P0460AD规格书

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