收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

“壹芯”做好二、三极管各式优质二、三极管选壹芯微

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微资讯中心 » 常见问题解答 » N沟道mos管集成电路

N沟道mos管集成电路

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2019-09-06 浏览:-

MOS管也有N沟道和P沟道之分,并且每一类又分为增强型和耗尽型两种,二者的差别是增强型MOS管在栅-源电压vGS=0时,漏-源极之间没有MOS管跨导电沟道存在,纵然加上电压vDS(在一定的数字范围内),也没有漏极电小产生(iD=0)。 在一块夹杂液体浓度较低的P型硅衬底上,用光刻、廓张工艺制造两个高夹杂液体浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,道别作漏极d和源极s。显然它的栅极与其他电极间是绝缘的。并且,由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻,在高温前提下办公时,PN结逆向电流增大,反偏电阻的阻值表面化减退。

结型场效应管的输入电阻虽然可达106~109W,但在要求输入电阻更高的场合,仍旧不可以满足要求。与结型场效应管不一样,金属-氧气化物-半导体场效应管(MOSFET)的栅极与半导体之距离有二氧气化硅(SiO2)绝缘媒介,使栅极处于绝缘状况(故又叫作绝缘栅场效应管),故而它的输入电阻可高达1015W。而耗尽型MOS管在vGS=0时,漏-源极间就有导电沟道存在。

N沟道金属-氧气化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及办公原理:

N沟道mos管结构和工作原理。

P沟道加强型MOS管的箭头方向与上面所说的相反。额外在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。它的另一个优点是制作工艺简朴,适于制作大规模及超大规模集成电路。而后在半导体外表复盖一层很薄的二氧气化硅(SiO2)绝缘层,在漏-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。

N沟道mos管集成电路

例1N沟道加强型场效应管结构

N沟道mos管集成电路

例2N沟道加强型MOS管代表符号

壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍

推荐阅读

【本文标签】:二极管 快恢复二极管 整流二极管 桥堆 肖特基二极管

【责任编辑】:壹芯微 版权所有:http://www.szyxwkj.com/转载请注明出处

最新资讯

1分析mos芯片输出驱动为什么一般用pmos做上管 nmos做下管

2MOS管知识-一清晰区分MOS NMOS PMOS CMOS(从原理的视角)

3mos管功耗-mos管功耗计算方法和MOS驱动基础

4场效应管知识详解-细说场效应管类型和其他知识(图文)

5MOS管源极及漏极是否可以互换使用分析

6MOS管日常科普知识-10分钟详细图解MOS管的结构原理介绍

7电源设计知识详解-电源设计中的去耦电容应用实例

8mos管炸机-MOS管炸不炸机 原因的关键看这里

9详解MOS管阈值电压和沟长和沟宽的关系及影响阈值电压的因素

10器件发热导致的MOS管损坏之谜及MOS管发热如何解决

全国服务热线13534146615

地 址/Address

工厂地址:深圳市光明新区公明屋园路138号城德轩工业园E栋
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579534

扫一扫!

深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备15080555号