MOS管也有N沟道和P沟道之分，并且每一类又分为增强型和耗尽型两种，二者的差别是增强型MOS管在栅-源电压vGS=0时，漏-源极之间没有MOS管跨导电沟道存在，纵然加上电压vDS（在一定的数字范围内），也没有漏极电小产生（iD=0）。 在一块夹杂液体浓度较低的P型硅衬底上，用光刻、廓张工艺制造两个高夹杂液体浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，道别作漏极d和源极s。显然它的栅极与其他电极间是绝缘的。并且，由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻，在高温前提下办公时，PN结逆向电流增大，反偏电阻的阻值表面化减退。

结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，仍旧不可以满足要求。与结型场效应管不一样，金属-氧气化物-半导体场效应管（MOSFET）的栅极与半导体之距离有二氧气化硅（SiO2）绝缘媒介，使栅极处于绝缘状况（故又叫作绝缘栅场效应管），故而它的输入电阻可高达1015W。而耗尽型MOS管在vGS=0时，漏-源极间就有导电沟道存在。

N沟道金属-氧气化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及办公原理：

N沟道mos管结构和工作原理。

P沟道加强型MOS管的箭头方向与上面所说的相反。额外在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。它的另一个优点是制作工艺简朴，适于制作大规模及超大规模集成电路。而后在半导体外表复盖一层很薄的二氧气化硅(SiO2)绝缘层，在漏-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。

例1N沟道加强型场效应管结构

例2N沟道加强型MOS管代表符号

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