来源：壹芯微 发布日期
2021-12-01 浏览：-NDD05N50ZT4G场效应管参数,NDD05N50ZT4G规格书下载,中文资料
壹芯微®NDD05N50ZT4G替代国际知名品牌对应型号,MOS(场效应管)NDD05N50ZT4G详细参数,封装引脚图,规格书(数据手册)
(图：NDD05N50ZT4G场效应管封装TO-252引脚图)
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 500 | V |
| 栅极-源极电压 | VGSS | ±30 | V |
| 雪崩电流 | IAR | - | A |
| 栅极-源极电压(TJ=25°C) | ID | 4.7 | A |
| 栅极-源极电压(TJ=100°C) | ID | 3 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 19 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 130 | mJ |
| 重复雪崩能量 | EAR | - | mJ |
| 二极管恢复峰值 | dv/dt | 4.5 | V/ns |
| 功耗,(TC=25°C) | PD | 83 | W |
| 工作结温范围 | TJ | -55~150 | °С |
| 贮存温度范围 | TSTG | -55~150 | °С |
| 热阻-结到外壳 | RθJC | 1.5 | °C/W |
| 热阻-结到环境 | RθJA | 38 | °C/W |
| 焊接的最高引线温度 | TL | 260 | °С |
(参数表(如上)：绝对最大额定参数与电气特性等)
NDD05N50ZT4G.PDF规格书/数据手册(点击红色字体下载)
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