MOS管，它究竟是什么？具备怎样的特性？在控制器电路中，MOS管存在多个工作状态，而MOS主要的损耗与这些状态息息相关。

MOS的工作状态主要包括：开启状态（由截至到导通的过渡过程）、导通状态、关闭状态（由导通到截至的过渡过程）、截至状态。

MOS主要的损耗包括：开关损耗（开启状态和关闭状态）、导通损耗、截至损耗（由漏电流引起的，这部分损耗一般忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要这些损耗控制在MOS承受规格范围内，MOS就能够正常运行；一旦超出范围，MOS就会遭受损坏。值得一提的是，开关损耗往往大于导通状态损耗，不同类型的MOS管这个差距可能会相当大。

造成MOS损坏的主要原因有：

过电流——持续大电流或瞬间超大电流导致结温过高而引发烧毁。

过压——源极和漏极之间的过压击穿、源极和栅极之间的过压击穿。

静电——静电击穿，对于CMOS电路来说，都是一个不可忽视的威胁。

MOS开关原理：

MOS是一种电压驱动型器件，只要栅极和源极之间施加适当的电压，源极和漏极之间的通路就会形成。这个通路的电阻被称为MOS内阻，即导通电阻。这个内阻的大小基本上决定了MOS芯片能够承受的最大导通电流；内阻越小，承受电流就越大（因为发热量较小）。

防止MOS损坏：

MOS问题远不止这些。麻烦在于其栅极和源极之间、源极和漏极之间，以及栅极和漏极之间，都存在着等效电容。因此，给栅极施加电压就是给这些电容充电的过程；而MOS的源极和漏极之间的开启过程则受到栅极电容充电过程的制约。

然而，这三个等效电容之间是串并联关系，彼此相互影响，而不是独立的。其中一个关键电容是栅极和漏极之间的电容Cgd，也被称为米勒电容。这个电容随着栅极和漏极之间的电压变化而迅速变化。米勒电容是给栅极和源极电容充电的绊脚石，因为一旦栅极给栅 - 源电容Cgs充电达到一个平台后，栅极的充电电流就会被用于给米勒电容Cgd充电。这时，栅极和源极之间的电压不再升高，达到了一个平台，也就是所谓的米勒平台。

Gs极加电容，减慢MOS管的导通时间，有助于减小米勒振荡。这样可以防止MOS管的烧毁。

如果充电速度过快，就会导致剧烈的米勒振荡；而充电速度过慢，则会减小振荡，但会延长开关时间，增加开关损耗。MOS的开启过程从无穷电阻到导通内阻很小的阻值，是一个转变过程。

总之，选择Qgs和Qgd小的MOS管，并且同时具有低内阻，可以有效减小损耗。