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MOS管IRLML6402参数-壹芯微二极管

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2019-08-10 浏览:-

壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,MOS管IRLML6402参数,请看下方

MOS管IRLML6402参数

MOS管IRLML6402参数

PD最大耗散功率:1.3W

ID最大漏源电流:-3.7A

V(BR)DSS漏源击穿电压:-20V

RDS(ON)Ω内阻:65MΩ

VRDS(ON)ld通态电流:-3.7A

VRDS(ON)栅极电压:-4.5V

VGS(th)V开启电压:-0.4~-1.2V

VGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

Gfs(min)S跨导:6S

Gfs(min)VDS漏源电压:-10V

Gfs(min)lo通态电流:-3.7A

封装:SOT-23

黑胶长:最小值2.8mm,最大值3.0mm

黑胶宽:最小值1.2mm,最大值1.4mm

黑胶高:最小值0.9mm,最大值1.0mm

MOS管IRLML6402参数

MOS管IRLML6402参数

壹芯微科技针对二三极管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍

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