mos管功率各种参数大全

mos管基本参数

向传输电容 Crss = CGD .

Coss:输出电容 Coss = CDS +CGD .

Ciss:输入电容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路).

Tf :下降时刻.输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时刻.

Td(off) :关断延迟时刻.输入电压下降到 90%开端到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时刻.

Tr :上升时刻.输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时刻.

Td(on):导通延迟时刻.从有输入电压上升到 10% 开端到 VDS 下降到其幅值90%的时刻.

Qgd :栅漏充电(考虑到 Miller效应)电量.

Qgs:栅源充电电量.

Qg :栅极总充电电量.

MOSFET是电压型驱动器材,驱动的进程即是栅极电压的建立进程,这是经过对栅源及栅漏之间的电容充电来完成的,下面将有此方面的详细论述.

gfs:跨导.是指漏极输出电流的改变量与栅源电压改变量之比,是栅源电压对漏极电流操控才能巨细的测量. gfs 与 VGS 的转移联系图如下图所示.

动态参数

IGSS :栅源驱动电流或反向电流.由于 MOSFET 输入阻抗很大,IGSS 通常在纳安级.

IDSS :饱满漏源电流,栅极电压 VGS=0 、

VDS 为必定值时的漏源电流.通常在微安级.

VGS(th) :敞开电压(阀值电压).当外加栅极操控电压 VGS超越VGS(th)

时,漏区和源区的外表反型层形成了衔接的沟道.应用中,常将漏极短接前提下 ID即是毫安时的栅极电压称为敞开电压.此参数通常会随结温度的上升而有所下降.

RDS(on) :在特定的 VGS (通常为 10V)、结温及漏极电流的前提下, MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗.它是一个非常重要的参数,决定了MOSFET导通时的消耗功率.此参数通常会随结温度的上升而有所增大（正温度特性）. 故应以此参数在最高作业结温前提下的值作为损耗及压降计算.

△V(BR)DSS/ △

Tj :漏源击穿电压的温度系数,通常为0.1V/ ℃.

V(BR)DSS :漏源击穿电压.是指栅源电压 VGS 为 0

时,场效应管正常作业所能接受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的作业电压必需小于V(BR)DSS .它具有正温度特性.故应以此参数在低温前提下的值作为安全考虑. 加负压非常好。

静态参数

TSTG :存储温度范围.

Tj:最大作业结温.通常为 150 ℃或 175 ℃ ,器材规划的作业前提下须确应防止超越这个温度,并留有必定裕量. （此参数靠不住）

VGS:最大栅源电压.，通常为：-20V~+20V

PD:最大耗散功率.是指场效应管机能不变坏时所容许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实践功耗应小于PDSM并留有必定余量.此参数通常会随结温度的上升而有所减额.（此参数靠不住）

IDM:最大脉冲漏源电流.表现一个抗冲击才能，跟脉冲时刻也有联系，此参数会随结温度的上升而有所减额.

ID:最大漏源电流.是指场效应管正常作业时,漏源间所容许经过的最大电流.场效应管的作业电流不应超越 ID .此参数会随结温度的上升而有所减额.

极限参数

ards---漏源电阻温度系数

aID---漏极电流温度系数

Vn---噪声电压

η---漏极效率（射频功率管）

Zo---驱动源内阻

VGu---栅衬底电压（直流）

VDu---漏衬底电压（直流）

Vsu---源衬底电压（直流）

VGD---栅漏电压（直流）

VDS(sat)---漏源饱满电压

VDS(on)---漏源通态电压

V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压

Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）

VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）

VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）

VGSR---反向栅源电压（直流）

VGSF--正向栅源电压（直流）

Tstg---贮成温度

Tc---管壳温度

Ta---环境温度

Tjm---最大容许结温

Tj---结温

PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）

POUT---输出功率

PIN--输入功率

PDM---漏极最大容许耗散功率

PD---漏极耗散功率

R(th)ja---结环热阻

R(th)jc---结壳热阻

RL---负载电阻（外电路参数）

Rg---栅极外接电阻（外电路参数）

rGS---栅源电阻

rGD---栅漏电阻

rDS(of)---漏源断态电阻

rDS(on)---漏源通态电阻

rDS---漏源电阻

Ls---源极电感

LD---漏极电感

L---负载电感（外电路参数）

Ku---传输系数

K---失调电压温度系数

gds---漏源电导

ggd---栅漏电导

GPD---共漏极中和高频功率增益

GpG---共栅极中和高频功率增益

Gps---共源极中和高频功率增益

Gp---功率增益

gfs---正向跨导

Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）

Iu---衬底电流

IDSS2---对管第二管漏源饱满电流

IDSS1---对管第一管漏源饱满电流

IGSS---漏极短路时截止栅电流

IF---二极管正向电流

IGP---栅极峰值电流

IGM---栅极脉冲电流

IGSO---漏极开路时，截止栅电流

IGDO---源极开路时，截止栅电流

IGR---反向栅电流

IGF---正向栅电流

IG---栅极电流（直流）

IDS(sat)---沟道饱满电流（漏源饱满电流）

IDSS---栅-源短路时，漏极电流

IDSM---最大漏源电流

IDS---漏源电流

IDQ---静态漏极电流（射频功率管）

ID(on)---通态漏极电流

dv/dt---电压上升率（外电路参数）

di/dt---电流上升率（外电路参数）

Eas:单次脉冲雪崩击穿能量

Ear:重复雪崩击穿能量

Iar: 雪崩电流

一些别的的参数

Ton:正导游通时刻.(根本能够忽略不计).

Qrr :反向恢复充电电量.

Trr :反向恢复时刻.

VSD :正导游通压降.

ISM:脉冲最大续流电流(从源极).

IS :接连最大续流电流(从源极).

体内二极管参数

结点到邻近环境的热阻,含义同上.

外壳到散热器的热阻,含义同上.

结点到外壳的热阻.它标明当耗散一个给定的功率时,结温与外壳温度之间的差值巨细.公式表达⊿ t = PD* ?.

热阻

EAR:重复雪崩击穿能量.

IAR :雪崩电流.

EAS :单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数,阐明 MOSFET 所能接受的最大雪崩击穿能量.

雪崩击穿特性参数:这些参数是 MOSFET 在关断状态能接受过压才能的目标.假设电压超越漏源极限电压将致使器材处在雪崩状态.

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