MOS场效应管的种类及结构 - 壹芯微

MOS管，即金属(Metal)-氧化物(Oxide)-半导体(Oxide)-半导体(Semiconductor)场效应晶体管，是应用场效应原理工作的半导体器件；与普通双极晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪音低、动态范围大、功耗低，易于集成等优点，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通讯电源等高频电源领域得到了越来越广泛的应用。

MOS管的类型和结构。

MOS管是FET的一种(另一种是JFET结型场效应管)，主要有N沟型和P沟型两种结构形式；根据场效应原理的不同，可分为耗尽型(当栅压为零时，有较大的漏极电流)和增强型(当栅压为零时，漏极电流也为零时，必须再加上一定的栅压才能产生漏极电流)。所以MOS管可制成P沟增强型、P沟消耗型、N沟增强型、N沟消耗型四种产品。

图(1) MOS管有四种类型。

每个MOS管都提供三种电极：Gate栅极(G),Source源极(S),Drain漏极(D)。接线时，对N通道的电源输入为D，输出为S；P通道的电源输入为S，输出为D；增强型和耗尽型的接线方式基本相同。

图(2) MOS管内结构图。

从结构图可以看出，N型场效应管的源极和漏极连接到N型半导体，而P型场效应管的源极和漏极连接到P型半导体。场效应管的输出电流由输入电压(或称场电压)控制，输入电流极小或无电流输入，使该设备具有较高的输入阻抗，这也是MOS管被称为场效应管的重要原因。

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