MDD4N60RH场效应管参数_规格书下载(替代国外品牌型号)MOS管生产厂家
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壹芯微专业供应MDD4N60RH系列场效应管,可替代昂贵的进口品牌对应型号。
MDD4N60RH.pdf 数据手册(规格书)下载
参数 | 符号 | 值 | 单位 |
漏极-源极电压 | VDSS | 600 | V |
栅极-源极电压 | VGSS | ±30 | V |
单脉冲雪崩电流 | IAR | - | A |
栅极-源极电压 | ID | 3.5 | A |
漏极电流-脉冲 | IDM | 14 | A |
单脉冲雪崩能量 | EAS | 170 | mJ |
重复雪崩能量 | EAR | 6.75 | mJ |
二极管恢复峰值 | dv/dt | 4.5 | V/ns |
功耗,(TC = 25°C) | PD | 67.5 | W |
热阻-结到外壳 | RθJC | 1.85 | °C/W |
热阻 - 结到环境 | RθJA | 110 | °C/W |
工作结温范围 | TJ | -55~150 | °С |
贮存温度范围 | TSTG | -55~150 | °С |
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