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MDD4N60RH场效应管参数_规格书下载(替代国外品牌型号)MOS管生产厂家

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-11-27 浏览:-

MDD4N60RH场效应管参数_规格书下载(替代国外品牌型号)MOS管生产厂家

MDD4N60RH场效应管,MDD4N60RH参数代换,MDD4N60RH规格书(数据手册),封装引脚图

MDD4N60RH


壹芯微专业供应MDD4N60RH系列场效应管,可替代昂贵的进口品牌对应型号。

MDD4N60RH.pdf 数据手册(规格书)下载

MDD4N60RH场效应管主要参数如下:

参数符号单位
漏极-源极电压VDSS600V
栅极-源极电压VGSS±30V
单脉冲雪崩电流IAR-A
栅极-源极电压ID3.5A
漏极电流-脉冲IDM14A
单脉冲雪崩能量EAS170mJ
重复雪崩能量EAR6.75mJ
二极管恢复峰值dv/dt4.5V/ns
功耗,(TC = 25°C)PD67.5W
热阻-结到外壳RθJC1.85°C/W
热阻 - 结到环境RθJA110°C/W
工作结温范围TJ-55~150 °С
贮存温度范围TSTG-55~150 °С

MDD4N60RH规格书

MDD4N60RH规格书

MDD4N60RH封装

MDD4N60RH封装

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