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简单mos管功放作用以及优缺点

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2019-05-21 浏览:-

壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,简单mos管功放作用以及优缺点,请看下方

简单场效应管功放

场应管偶次谐波丰厚,听感颇有电子管的风味。而且其输出功率相比电子管能够做得很大,且本钱不高,所以前级配场效应管功放,在发烧圈内很流行。 本电路输入局部较为简沾。采用一对性能指标完整分歧的音频低噪声管C1815组成差分放大电路。由负载输出端的33kΩ电阻和1kΩ电阻经分压反应到BG2的基极,自动均衡输出管的工作电压,省去调整中点电压的费事,实测<50mV。

BG3是一级恒流源,以改善差分放大电路的共模抑止比。其基极电位是由发光二极管提供,性能和信噪比优于稳压二极管,使BG3的基极电位控制在1.8V左右。工作时,该管还可起到指示灯的作用。BG5是另一级恒流源,使BG4的电压增益有较大进步。

BG6、BG7、BG8为中功率电压放大推进管。其中BG6起到调整整机静态电流的作用,调整元件只要带锁紧螺栓的VR一个。调试前,该可调电阻置于中间位置,用1A直流电流表串接在正电源和二只功率管的D极,微调VR,阻值大则电流大,普通调整在200mA左右,并锁紧可调电阻。由于场效应管的负温度特性,静态电流会自动减流。但不会影响整机的正常工作。8只场敏应管应尽最配对分歧,这样可避免某管发热最大的情况。K85l、K854等场效应管拆机品价钱非常低廉,性能稳定,音质表现较好。

本机耦合电容器仪有输入端每声道一个,一定要采用CBB无感电容。笔者经过实验。任何电解电容(包括极品),由于存在一定的漏电率。卷绕电感和转换速率低等缺陷,在大音状态下都不能胜任。声音听感欠佳。

电源采用100W以上变压器。次级交流电压为2x26V或2x28V。整流桥电流大于l0A。用4只6800μF/50VELNA高速电解电容作滤波。并且并联上lμFCBB电容作高频退耦。

扬声器维护电路装置完成后,可实验一下能否正常,办法是单独接通维护器电源,儿秒钟内继电器J虚吸合。在10kΩ电阻上端与地接1.5V干电池。继电器又马上断开。标明工作正常。 输入端电他器中心点接头,由R、C和K组成超低音提升电路。小音最时按下开关后,低音得到明显提升,觉得声浪阵阵而来,效果确实不错。

优点:

1、MOS 管功放具有鼓励功率小,输出功率大,输出漏极电流具有负温度系数,平安牢靠,且有工作频率高,偏置简单等优点。以运放的输出作为OCL 的输入,到达抑止零点漂移的效果。

2、中音厚,没有三极管那么大的交越失真。

电流推进级通常由一至二级组成,为了降低输出阻抗、增加阻尼系数,常采用二级电流推进。为了防止电流推进级产生开关失真,较好的作法是、采用MOS管并增大本级的静态电流,这样本级不会产生开关失真,由于任何状况下电流推进级一直处于放大区,所以电流输出级也一直处于放大区,因而输出级同样不会产生开关失真和交越失真。

3、MOS管的线性比晶体管好。

缺点:

1、低频的温和度比晶体管功放差,MOSFET开关场效应管容易被输出和输入过载损坏,MOSFET场效应晶体管既具有晶体管的根本优点。但运用不久发现这种功放的牢靠性不高(无法外电路维护),开关速度进步得不多和最大输出功率仅为150W/8Ω等。90年代初,MOSFET的制造技术有了很大打破,呈现了一种高速MOSFET大功率开关场效应晶体管。西班牙艺格公司(ECLER)经多年研讨,攻克了非毁坏性维护系统的SPM专利技术,推出了集电子管功放和晶体管功放两者优点分离的第3代功放产品,在欧洲市场上取得了认可,并逐渐在世界上得到了应用。第3代MOSFET功放的中频和高频音质接近电子管功放,但低频的温和度比晶体管功放差一些,此外MOSFET开关场效应管容易被输出和输入过载损坏。

2、开启电压太高。

3、偏流开很大,还是有一定的交越失真,没交越失真,差不多能够赶上三极管的甲类输出功耗。

4、MOS管不好配对在同一批次管,相对来说要好配对一点。

5、MOS管的低频下太硬,用MOS功放听出所谓电子管音色有一个简单方法,把普通三极管功放里的电压推进三极管换成JFET,JFET才真正具有电子管音色。

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