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JCS5N50RT场效应管参数 JCS5N50RT参数资料规格书〔壹芯微〕

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-12-20 浏览:-

JCS5N50RT场效应管参数 JCS5N50RT参数资料规格书〔壹芯微〕

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JCS5N50RT.TO-252

漏源电压(VDSS):500V

栅源电压(VGSS):±30V

雪崩电流(IAR):5A

漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):5A

漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):3.16A

漏极电流-脉冲(IDM):20A

单脉冲雪崩能量(EAS):305mJ

重复雪崩能量(EAR):10.1mJ

二极管恢复峰值(dv/dt):4.5V/ns

功耗(TC=25°C)(PD):91W

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG):-55~+150°С

JCS5N50RT参数

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