IRLR3114Z场效应管参数中文资料 选型替代 MOS管生产厂家 - 壹芯微

IRLR3114Z场效应管主要参数 极性：N沟道；电压(VDSS)：40V；电流(ID)：130A；封装(Pageke)：TO-252；

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ID@TC=25°C连续漏极电流，VGS@10V（Silicon Limited）130A

ID@TC=100°C连续漏极电流，VGS@10V（Silicon Limited）89A

ID@TC=25°C连续漏极电流，VGS@10V（封装受限）42A

IDM脉冲漏极电流① 500A

PD@TC=25°C 功耗 140W

线性降额因数0.95W/°C

VGS 栅源电压 ±16V

EAS (Thermally Limited) 单脉冲雪崩能量② 130mJ

EAS (Tested) 单脉冲雪崩能量测试值⑥ 260mJ

IAR雪崩电流① 见图12a、12b、15、16A

EAR 重复雪崩能量见图 12a、12b、15、16mJ

TJ 工作结和 -55 至 +175°C

TSTG 储存温度范围 -55 至 +175°C

回流焊接温度，10 秒 300°C

安装扭矩，6-32 或 M3 螺丝 10Ibf·in(1.1n·m)

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