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IRFR430A场效应管参数,IRFR430A规格书下载,中文资料

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-11-30 浏览:-

IRFR430A场效应管参数,IRFR430A规格书下载,中文资料

IRFR430A参数及代换,IRFR430A封装引脚图,IRFR430A规格书(数据手册)

IRFR430A(TO-252)

(图(如上):IRFR430A,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)

壹芯微供应IRFR430A系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。

IRFR430A场效应管主要参数如下:

参数符号单位
漏极-源极电压VDSS500V
栅极-源极电压VGSS±30V
雪崩电流IAR5.0A
栅极-源极电压(TJ=25°C)ID5.0A
栅极-源极电压(TJ=100°C)ID3.2A
脉冲漏极电流IDM20A
单脉冲雪崩能量EAS130mJ
重复雪崩能量EAR11mJ
二极管恢复峰值dv/dt3.0V/ns
功耗,(TC=25°C)PD110W
功耗,(25°C以上降额)PD-W
工作结温范围TJ-55~+150 °С
贮存温度范围TSTG-55~+150 °С
焊接的最高引线温度TL300 °С

(参数表(如上):绝对最大额定参数与电气特性等)

IRFR430A.PDF规格书/数据手册(点击红色字体下载)

IRFR430A规格书

IRFR430A规格书

IRFR430A封装

IRFR430A封装

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