IRFR430A场效应管参数,IRFR430A规格书下载,中文资料
IRFR430A参数及代换,IRFR430A封装引脚图,IRFR430A规格书(数据手册)
(图(如上):IRFR430A,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)
壹芯微供应IRFR430A系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。
参数 | 符号 | 值 | 单位 |
漏极-源极电压 | VDSS | 500 | V |
栅极-源极电压 | VGSS | ±30 | V |
雪崩电流 | IAR | 5.0 | A |
栅极-源极电压(TJ=25°C) | ID | 5.0 | A |
栅极-源极电压(TJ=100°C) | ID | 3.2 | A |
脉冲漏极电流 | IDM | 20 | A |
单脉冲雪崩能量 | EAS | 130 | mJ |
重复雪崩能量 | EAR | 11 | mJ |
二极管恢复峰值 | dv/dt | 3.0 | V/ns |
功耗,(TC=25°C) | PD | 110 | W |
功耗,(25°C以上降额) | PD | - | W |
工作结温范围 | TJ | -55~+150 | °С |
贮存温度范围 | TSTG | -55~+150 | °С |
焊接的最高引线温度 | TL | 300 | °С |
(参数表(如上):绝对最大额定参数与电气特性等)
IRFR430A.PDF规格书/数据手册(点击红色字体下载)
壹芯微(二,三极管,MOS管专业生产商)主要生产与销售:肖特基二极管,整流二极管,TVS二极管,快恢复二极管,超快恢复二极管,高效整流二极管,晶体三极管,MOSFET/场效应管,可控硅,三端稳压管,整流桥堆,IC集成电路;工厂直销价,品质保障,提供售前选型,送样测试,技术支持,售后FEA,如需了解产品报价及详细信息,欢迎咨询官网在线客服。
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