来源：壹芯微 发布日期
2021-11-27 浏览：-IPD60R2K0C6场效应管参数 代换 规格书资料下载 - MOS管厂家 - 壹芯微
IPD60R2K0C6场效应管参数代换,IPD60R2K0C6封装引脚图,IPD60R2K0C6规格书(数据手册)
(图：IPD60R2K0C6场效应管 TO-252封装引脚图)
壹芯微供应IPD60R2K0C6系列场效应管，可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 650 | V |
| 栅极-源极电压 | VGSS | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩电流 | IAR | 0.4 | A |
| 栅极-源极电压 | ID | 2.4 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 6 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 11 | mJ |
| 重复雪崩能量 | EAR | 0.06 | mJ |
| 二极管恢复峰值 | dv/dt | 15 | V/ns |
| 功耗,(TC = 25°C) | PD | 22.3 | W |
| 工作结温范围 | TJ | -55~150 | °С |
| 贮存温度范围 | TSTG | -55~150 | °С |
(参数表：绝对最大额定参数与电气特性等)
IPD60R2K0C6.PDF规格书/数据手册(点击红色字体下载)
壹芯微(二,三极管,MOS管专业生产商)主要生产与销售：肖特基二极管,整流二极管,TVS二极管,快恢复二极管,超快恢复二极管,高效整流二极管,晶体三极管,MOSFET/场效应管,可控硅,三端稳压管,整流桥堆,IC集成电路;工厂直销价,品质保障,提供售前选型,送样测试,技术支持,售后FEA,如需了解产品报价及详细信息,欢迎咨询官网在线客服。
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