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HFD5N40,TO-252,中文参数,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-12-24 浏览:-

HFD5N40,TO-252,中文参数,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

HFD5N40中文参数,HFD5N40封装引脚图,HFD5N40数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)

HFD5N40,TO-252

特性

· 原创新设计

· 卓越的雪崩坚固技术

· 强大的栅极氧化技术

· 极低的固有电容

· 优良的开关特性

· 无与伦比的栅极电荷:13 nC(典型值)

· 扩展安全操作区

· 降低 RDS(ON) ? 7\S #9GS=10V

· 100% 雪崩测试

封装形式与电路图符号

绝对最大额定值(TC=25°C,除非另有说明)

漏源电压(VDSS):400V

栅源电压(VGSS):±30V

雪崩电流(IAR):3.4A

漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):3.4A

漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):2.15A

漏极电流-脉冲(IDM):13.6A

单脉冲雪崩能量(EAS):510mJ

重复雪崩能量(EAR):4.5mJ

二极管恢复峰值(dv/dt):4.5V/ns

功耗(TC=25°C)(PD):2.5W

功耗(TC=25°C以上)(PD):0.36W

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG):-55~+150°С

热阻-结到外壳(RθJC):2.78°C/W

热阻-结到环境(RθJA)*:50°C/W

热阻-结到环境(RθJA):110°C/W

焊接的最高引线温度(TL):300°С

绝对最大额定值

绝对最大额定值

电气特性

电气特性

TO-252封装

TO-252封装

TO-251封装

TO-251封装

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