HFD2N60,HFD2N60场效应管参数_中文资料_规格书
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HFD2N60场效应管封装引脚图
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HFD2N60.pdf 数据手册(规格书)下载
参数 | 符号 | 值 | 单位 |
漏极-源极电压 | VDSS | 600 | V |
栅极-源极电压 | VGSS | ±30 | V |
单脉冲雪崩电流 | IAR | 1.8 | A |
栅极-源极电压 | ID | 1.8 | A |
漏极电流-脉冲 | IDM | 7.2 | A |
单脉冲雪崩能量 | EAS | 150 | mJ |
重复雪崩能量 | EAR | 4.4 | mJ |
二极管恢复峰值 | dv/dt | 5.5 | V/ns |
功耗,(TC = 25°C) | PD | 2.5 | W |
工作结温范围 | TJ | -55~+150 | °С |
贮存温度范围 | TSTG | -55~+150 | °С |
焊接的最高引线温度 | TL | 300 | °С |
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