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高性能(SiC)肖特基二极管的特性资料

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2019-10-09 浏览:-

高性能肖特基二极管材料

碳化硅(SiC)是一种高性能的半导体材料,基于SiC的肖特基二极管(SiC Schottky Diode)

具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为新能源及电力电子的首选器件。  

肖特基二极管

肖特基二极管电路符号

碳化硅肖特基二极管特性

安森美半导体(onsemi)推出的FFSH30120ADN碳化硅肖特基二极管没有开关损耗,利用新的半导体材料 —— 碳化硅(SiC)提升了硅二极管的系统效率,支持更高的工作频率,并且有助于提高功率密度,降低系统尺寸/成本。

肖特基二极管

碳化硅肖特基二极管工作应用

肖特基二极管的作用

FFSH30120ADN碳化硅肖特基二极管可工作于1200V/30A环境,最大结温175°C,雪崩额定值145mJ,高浪涌电流容量,正温度系数,无反向恢复/无正向恢复,具有高可靠性,确保了在浪涌或过压条件期间的可靠运行。

作为一种高压二极管,FFSH30120ADN采用表面贴装,主要用于开关电源、太阳能逆变器、UPS,以及电源开关电路等。

壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍

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【本文标签】:二极管 快恢复二极管 整流二极管 桥堆 肖特基二极管

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