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FTD02N60,FTD02N60场效应管参数_中文资料_规格书

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-11-19 浏览:-

FTD02N60,FTD02N60场效应管参数_中文资料_规格书

FTD02N60参数及代换,FTD02N60中文资料,现货采购,MOS管专业生产厂商

FTD02N60场效应管封装引脚图

FTD02N60(TO-252)封装引脚图

壹芯微专业供应FTD02N60系列场效应管,可替代昂贵的进口品牌对应型号。

FTD02N60.pdf 数据手册(规格书)下载

FTD02N60场效应管主要参数如下:

参数符号单位
漏极-源极电压VDSS600V
栅极-源极电压VGSS±30V
单脉冲雪崩电流IAR-A
栅极-源极电压ID1.9A
漏极电流-脉冲IDM-A
单脉冲雪崩能量EAS7.3mJ
重复雪崩能量EAR-mJ
二极管恢复峰值dv/dt5.5V/ns
功耗,(TC = 25°C)PD43W
工作结温范围TJ-55~150 °С
贮存温度范围TSTG-55~150 °С
焊接的最高引线温度TL300 °С

FTD02N60规格书

FTD02N60规格书

FTD02N60规格书

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FTD02N60规格书

FTD02N60规格书

FTD02N60规格书

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