收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微资讯中心 » 常见问题解答 » 二极管浪涌电流测试电路知识

二极管浪涌电流测试电路知识

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2019-09-28 浏览:-

该文讲述了二极管正向浪涌电流测试的基本要求和标准测试方法,针对标准测试方法存在的不足,设计实现了采用信号控制、电容储能和大功率场效应管晶体管电流驱动的电路解决方案,简洁而又高效地实现了二极管正向浪涌电流的测试。

正弦半波脉冲电流的产生

二极管的规格繁多,常见的额定通态电流从数百毫安到数百安培甚至更高,IFSM测试需要的峰值脉冲电流要求达到数十倍的额定通态电流值。标准的测试方法是采用大容量工频变压器,截取市电交流波形来产生时间常数为10ms、导通角为0°~180°的正弦半波脉冲,如图1。

二极管浪涌电流

图1 正向浪涌电流测试电路

用这种方法产生几百上千安培的正弦脉冲电流,所用到的变压器体积重量都非常可观,安装与使用十分不便。一些国外公司的产品对浪涌冲击电流波形有特殊要求,比如要求在正向整流电流的基础上再加一个时间常数为10ms或8.3ms、导通角为0°~180°的正弦半波脉冲电流,或者要求施加连续两个时间常数为10ms或8.3ms、导通角为0°~180°的正弦半波脉冲电流等。显然再采用市电截取的方法,已经很难满足不同器件的测试要求了。

设计思路

大功率场效应管晶体管是一类标准的电压控制电流器件,在VDMOS管的线性工作区内,漏极电流受栅极电压控制:IDS=GFS*VGS[2]。给栅极施加所需要的电压波形,在漏极就会输出相应的电流波形。因此,选用大功率VDMOS管适合用于实现所需的浪涌电流波形,电路形式如图2所示。

二极管浪涌电流

图2 VDMOS电流驱动电路

运放组成基本的反向运算电路,驱动VDMOS管的栅极,漏源电流通过VDMOS管源极取样电阻,加到运放反向输入端,与输入波形相加形成反馈,运放输出电压控制VDMOS管的栅极电压VGS,进而控制漏极输出电流IDS[3]。这个IDS就是施加给待测二极管(DUT)的正向浪涌电流。

单只VDMOS管的功率和电流放大能力是有限的,无法达到上千安培的输出电流能力,采用多只并联的方式可以解决这个问题,以达到所需要的峰值电流。常见的连接方法如图3所示。

二极管浪涌电流

图3 VDMOS并联方式

本测试方案采用了成熟的电路控制技术,简洁而有效地实现了各种浪涌冲击测试的要求。使用的都是常规易得的元器件,组建的装置体积小重量轻,可以很方便地安装在普通仪器箱中,成为一件标准测试仪器。具有使用灵活、易操作,测试精准度高,安全可靠等特点。

壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍

推荐阅读

【本文标签】:肖特基二极管 快恢复二极管 整流二极管 MOS管 场效应管

【责任编辑】:壹芯微 版权所有:http://www.szyxwkj.com/转载请注明出处

最新资讯

1BSS84场效应管参数,BSS84参数中文资料,BSS84替代

2AO3415场效应管参数,AO3415参数中文资料,AO3415替代

3利用LM3886驱动靓声功放的设计图文介绍|壹芯微

4LM3886与TDA7294、LM1875的比较图文解析|壹芯微

5利用LM3886组成的BTL功放线路解析|壹芯微

6AO3414场效应管参数,AO3414中文资料规格书,AO3414替代

7AO3413场效应管参数,AO3413中文资料规格书,AO3413替代

8LM3886功放电路的设计与改进介绍|壹芯微

9LM339与LM339N的区别介绍|壹芯微

10LM339的特点、引脚功能及使用介绍|壹芯微

全国服务热线13534146615

地 址/Address

工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579535

扫一扫!

深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号