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为制造二极管,我们只能在隔离的区域内进行掺杂,而不是在整个圆片上进行掺杂。此外,还需要在器件上制作接触和互连。本节讲述怎样利用光刻在圆片上制造微小精确的结构。光刻中,用具有精确限制结构的掩膜在各步工艺中阻挡圆片的某些部分。
我们来看看怎样制作简单的二极管(图1),p型图片覆盖上一层氧化层,接着是一层光刻胶,如图(a),光刻胶是光敏有机化合物,通常旋涂到硅片上。经光照射会发生化学反应,对于正胶,显影会去除曝光后的光刻胶。对于负胶,显影会去除没有曝光的部分。加上掩膜版,只有在掩膜版透明的地方光刻胶才会被曝光。然后显影,在光刻胶上留下图形。图1 是二极管制造中的光刻。
图2中是用来制作16M比特的存储器芯片的其中一个掩膜。掩膜版制作的比较大,再经过投影缩小
图2 16M比特的存储器芯片的三个掩膜。掩膜版制作的较大,然后再投影缩小到最终的尺寸。壹芯微科技针对快恢复二极管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍
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