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二极管的光刻工艺具体步骤

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2019-03-11 浏览:-

壹芯微作为国内专业生产快恢复二极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分析一些知识或者客户的一些问题,来出来分享,今天我们分享的是,二极管的光刻工艺具体步骤,请看下方

为制造二极管,我们只能在隔离的区域内进行掺杂,而不是在整个圆片上进行掺杂。此外,还需要在器件上制作接触和互连。本节讲述怎样利用光刻在圆片上制造微小精确的结构。光刻中,用具有精确限制结构的掩膜在各步工艺中阻挡圆片的某些部分。

  我们来看看怎样制作简单的二极管(图1),p型图片覆盖上一层氧化层,接着是一层光刻胶,如图(a),光刻胶是光敏有机化合物,通常旋涂到硅片上。经光照射会发生化学反应,对于正胶,显影会去除曝光后的光刻胶。对于负胶,显影会去除没有曝光的部分。加上掩膜版,只有在掩膜版透明的地方光刻胶才会被曝光。然后显影,在光刻胶上留下图形。
  接下来,圆片放在离子注入机中。施主离子注入氧化层(后面会被去除)和衬底中。半导体被离子轰击的地方成为n型。这样,n+阱就在p型衬底上生成。注意施主的注入数目必须超过背景受主浓度,才能使注入区成为n型。
  下一步,生成新的氧化层,这一层用另一个掩膜来限制离子注入,生成p型欧姆接触的p+层。
  生长另一层氧化层,再在圆片上旋涂一层光刻胶。采用第三层掩膜版,形成制作接触的两个孔,当生成下一层金属时,通过前面剩下的氧化层和p型衬底绝缘。
  最后形成金属图形,制作p区和n区的电接触。接触通过氧化层上的通孔形成。

  图1 是二极管制造中的光刻。

快恢复二极管

    图2中是用来制作16M比特的存储器芯片的其中一个掩膜。掩膜版制作的比较大,再经过投影缩小

快恢复二极管

图2 16M比特的存储器芯片的三个掩膜。掩膜版制作的较大,然后再投影缩小到最终的尺寸。 

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【本文标签】:二极管 快恢复二极管 整流二极管 桥堆 肖特基二极管

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