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导通瞬间基极驱动知识

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2019-09-18 浏览:-

导通瞬间基极过驱动峰值输入电流/bl为了保证迅速导通集电极电流,需要有一个持续时间很短且峰值约为导通期间平均值2~3倍的基极尖峰电流供给基极。该尖峰的持续时间仅为最小导通时间的2%-3%,如图8.2  (a )所示。

导通瞬间基极驱动

导通瞬间基极驱动

图 8.2  (b)给出了这种 “ 导通过MOS管驱动” 效应的图示。如果对导速度没有要求,则为了 获得要求的集电极电流 ( Ic1) 所需要的基极输入电流 ( /bl ) 只要满足将电压 Vee降低到集电极负载线和lc/Vce曲线的交点处的饱和电压Vce(at)的水平上就可以了。在满足上面要求的/bl的作用下,集电极电流将以某个时间常数ta呈指数上升,并且在3ta的时间内进入 lci5%的范围内。

然而,若基极电流为2Ib1(过驱动系数为2),集电极电流将迅速上升,直至2/cl.如果没有电源电压和负载阻抗的限制,它将在相同的时间3ta后达到2Ic1。但由于集电极电流受电源电压和负载阻抗的限制,它只能达到lci.因此集电极电流仅需要0.69儿ta的时间内达到期望值lci,而非3ta.类似地,如果过驱动系数为3(/b=3/b1),则集电极电流会迅速上升,直到接近于 3lc1 。

如果没有负载阻抗和电源电压的限制,将在相同的时间3ta 后达到 3Ic1。但事实上集电极电 流受到限制,它只能达到 lcl。因此集电极电流是在 0.4ta 时间内达到期望值 lc1的,而非3ta为加速晶体管的导通,过驱动系数通常选为2-3。这个过驱动系数用于具有典型B值的晶体管。B值低的晶体管速度很快,不需要高的过驱动系数。而B值高的晶体管速度慢,其相 应的过驱动系数大约为典型B值晶体管的两倍。

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