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场效应管放大电路图解

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-04-17 浏览:-

场效应管放大电路图解

金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管

N沟道增强型MOSFET

场效应管放大电路图解

栅源加电压,在电场作用下产生沟道。产生沟道的门限开启电压VT。

场效应管放大电路图解

漏源加电压,产生电压梯度,导致沟道夹断。预夹断的临界条件35(3).JPG

场效应管放大电路图解

输出特性

场效应管放大电路图解

特性方程

场效应管放大电路图解

可变电阻区

场效应管放大电路图解

场效应管放大电路图解

饱和区

场效应管放大电路图解

N沟道耗尽型MOSFET

场效应管放大电路图解

栅源加负电压,在电场作用下沟道减小。耗尽沟道的夹断电压VP。

输出特性

场效应管放大电路图解

P沟道MOSFET

场效应管放大电路图解

沟道长度调制效应

理想情况下,MOSFET工作在饱和区时,漏极电流与漏源电压无关。而实际上,漏源电压对沟道长度L的调制作用,漏源电压增加时,漏极电流会有所增加。因此,输出特性公式需要进行修正

场效应管放大电路图解

典型器件,λ的值近似表示为,单位μm

35(14)

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