CJU01N80 TO252 N沟道 高压800V 1A - 场效应MOS管 - 壹芯微

型号：CJU01N80 极性：N沟道；电压：800V 电流：1A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

CJU01N80参数中文资料,CJU01N80封装管脚引脚图,CJU01N80规格书:查看下载

CJU01N80的概述：

CJU01N80是N沟道模式功率MOSFET，使用为客户提供平面条纹的先进技术。 该技术专注于实现最小的通态电阻和卓越的开关性能。 它还可以承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。 CJU01N80广泛应用于高效开关电源。

CJU01N80的特性：

优秀的封装，良好的散热

高切换速度

100%雪崩测试

CJU01N80的应用：

电源开关应用

DC/DC转换器

CJU01N80的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压,V_DS：800V

Gate-SourceVoltage栅源电压,V_GS：±30V

ContinuousDrainCurrent持续漏极电流,I_D：1A

PulsedDrainCurrent脉冲漏极电流,I_DM：4A

SinglePulsedAvalancheEnergy单脉冲雪崩能量（注1）,E_AS：90mJ

ThermalResistanceFromJunctionToAmbient从结到环境的热阻,R_θJA：100℃/W

JunctionTemperature结温,T_J：150℃

StorageTemperatureRange储存温度范围,T_STG：-55~+150℃

MaximumIeadTemperureForSolderingPurposes用于焊接目的的最高引线温度

1/8”FromCaseFor5Seconds1/8”离机箱5秒,T_L：260℃

壹芯微CJU01N80规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

壹芯微致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产与销售，至今已有20年半导体行业研发、制造经验。目前壹芯微产品已经在便携性设备、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器等领域获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制二三极管MOS管产品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们，免费试样热线：13534146615(微信同号) QQ：2881579535 或请咨询官网在线客服。