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CJD02N65场效应(MOS管)参数 报价 原厂直销 免费样品 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-16 浏览:-

CJD02N65场效应(MOS管)参数 报价 原厂直销 免费样品 - 壹芯微

CJD02N65场效应管主要参数 极性:N沟道;电压(VDSS):650V;电流(ID):2A;封装(Pageke):TO-252

大芯片,高品质,原厂批量直销,提供技术支持,免费送样测试,替代原装进口品牌型号

CJD02N65

漏源电压 VDS 650 V

栅源电压 VGSS ±20 V

持续漏极电流 ID 2 A

脉冲漏极电流 IDM 8 A

单脉冲雪崩能量 (note1) EAS 128 mJ

功率耗散 PD 1.25 W

从结到环境的热阻 RθJA 100 ℃/W

工作和储存温度范围 TJ, TSTG -55 ~+150 ℃

用于焊接的最大铅温度,

距外壳1/8”5秒 TL 260 ℃

CJD02N65参数

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【本文标签】:肖特基二极管 快恢复二极管 整流二极管 MOS管 场效应管

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