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AP05N50EH场效应管参数资料,AP05N50EH-HF规格书下载,MOS管厂家直销

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-12-01 浏览:-

AP05N50EH场效应管参数资料,AP05N50EH-HF规格书下载,MOS管厂家直销

壹芯微®AP05N50EH替代国际知名品牌对应型号,MOS(场效应管)AP05N50EH详细参数,封装引脚图,规格书(数据手册)

AP05N50EH(TO-252)

(图:AP05N50EH场效应管封装TO-252引脚图)

AP05N50EH场效应管主要参数

参数符号单位
漏极-源极电压VDSS500V
栅极-源极电压VGSS±30V
雪崩电流IAR5A
栅极-源极电压(TJ=25°C)ID5A
栅极-源极电压(TJ=100°C)ID-A
脉冲漏极电流IDM20A
单脉冲雪崩能量EAS12.5mJ
重复雪崩能量EAR-mJ
二极管恢复峰值dv/dt-V/ns
功耗,(TC=25°C)PD73.5W
功耗,(TA=25°C)PD2W
工作结温范围TJ-55~150 °С
贮存温度范围TSTG-55~150 °С
热阻-结到外壳Rthj-c1.7°C/W
热阻-结到环境Rthj-a62.5°C/W

(参数表(如上):绝对最大额定参数与电气特性等)

AP05N50EH.PDF规格书/数据手册(点击红色字体下载)

AP05N50EH规格书

AP05N50EH规格书

AP05N50EH规格书

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