7n80场效应管参数规格书PDF 封装详情 技术支持

7n80场效应管参数-型号概述

7n80场效应管参数型号概述，此功率MOSFET生产是使用SL先进的平面条纹DMOS技术，这个先进的技术是特别定制的，以减少通态电阻，提供优越的开关性能，在雪崩和转换方式下能承受高能脉冲器件，它非常适合高效率开关模式电源，有源功率因数校正基于半桥拓扑。

7n80场效应管参数-型号特性

RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V

低栅电荷(典型27nC)

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv/dt的能力

7n80场效应管参数-型号封装图

7n80场效应管参数详情

7n80场效应管参数-规格书

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