7N70KL-TN3-R场效应管参数中文资料 现货替代 厂家直营 - 壹芯微

型号：7N70KL-TN3-R 极性：N沟道；电压：700V电流：7A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

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7N70KL-TN3-R的概述：

7N70K-MTQ是一种高压功率 MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC到DC转换器和桥式电路中的高速开关应用。

* RDS(ON)<1.7Ω @VGS=10V，ID=3.5A

7N70KL-TN3-R的特性：

* 快速切换能力

* 指定雪崩能量

* 改进的 dv/dt 能力，高耐用性

7N70KL-TN3-R的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS：700V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏极电流持续,ID：7.0A

DrainCurrentPulsedDrain Current Pulsed (注2),IDM：28A

AvalancheCurrent雪崩电流(注2),IAR：6.4A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量单脉冲(注3),EAS：205mJ

PeakDiodeRecovery二极管峰值恢复(注 4),dv/dt：4.5 V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1/TO-220F2,PD：48W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-251S/TO-251S2/TO-251S4/TO-252,PD：57W

PowerDissipation功耗,TO-262 PD：142W

JunctionTemperature结温,TJ：+150°C

注意： 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。

3.L=10mH，IAS=6.4A，VDD=50V，RG=25Ω，启动TJ=25°C

4.ISD≤7.0A，di/dt≤200A/µs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

壹芯微7N70KL-TN3-R规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

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