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5N60L-TN3-R场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-16 浏览:-

5N60L-TN3-R场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微

5N60L-TN3-R场效应管主要参数 极性:N沟道;电压(VDSS):600V;电流(ID):5A;封装(Pageke):TO-252

大芯片,高品质,原厂批量直销,提供技术支持,免费送样测试,替代原装进口品牌型号

5N60L-TN3-R

漏源电压 VDSS 600

栅源电压 VGSS ±30

雪崩电流(注 2) IAR 5

连续漏极电流 ID 5

脉冲漏极电流(注 2)IDM 20

雪崩能源

单脉冲(注 3)EAS 210

重复(注 2) EAR 10

峰值二极管恢复 dv/dt(注 4) dv/dt 4.5

TO-220 100

5N60L-TN3-R参数

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