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4N65G-TN3-T场效应MOS管参数 报价 原厂直销 免费样品 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-23 浏览:-

4N65G-TN3-T场效应MOS管参数 报价 原厂直销 免费样品 - 壹芯微

4N65G-TN3-T

型号:4N65G-TN3-T 极性:N沟道;电压:650V 电流:4A;封装:TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

4N65G-TN3-T参数中文资料,4N65G-TN3-T封装管脚引脚图

4N65G-TN3-T

4N65G-TN3-T的概述:

4N65-E是一款高压功率MOSFET,其设计具有更好的特性,例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 这种功率MOSFET通常用于高速开关应用,包括电源、PWM电机控制、高效DC到DC转换器和桥式电路。

4N65G-TN3-T的特性:

RDS(ON)<2.5Ω @VGS=10V

快速切换能力

指定雪崩能量

改进的dv/dt能力,高耐用性

4N65G-TN3-T

4N65G-TN3-T的绝对最大额定值(TC = 25°C,除非另有说明):

4N65G-TN3-T

Drain-Source Voltage 漏源电压 VDSS:650 V

Gate-Source Voltage 栅源电压 VGSS:±30 V

Avalanche Current 雪崩电流(注 2) IAR:4.4 A

Drain Current Continuous 漏极电流连续 ID:4.0 A

Drain Current Pulsed 漏极电流脉冲(注 2)IDM:16 A

Avalanche Energy  Single Pulsed 雪崩能量单脉冲(注3)EAS:200 mJ

Avalanche Energy Repetitive 雪崩能量重复 (注 2) EAR:10.6 mJ

Peak Diode Recovery 峰值二极管恢复 (注 4) dv/dt:4.5 V/ns

Power Dissipation 功耗 TO-220/TO-262/TO-263 PD:106 W

Power Dissipation 功耗 TO-220F/TO-220F1/TO-220F3 PD:36 W

Power Dissipation 功耗 TO-220F2 PD:38 W

Power Dissipation 功耗 TO-251/TO-252/TO-251S PD:50 W

Power Dissipation 功耗 DFN-8(3×3) PD:30 W

Junction Temperature 结温 TJ:+150 °С

Operating Temperature 工作温度 TOPR:-55 ~ +150 °С

Storage Temperature 储存温度 TSTG:-55 ~ +150 °С

注意: 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。

2. 重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制。

3. L=30mH, IAS=3.65A, VDD=50V, RG=25?, Starting(起始)TJ=25°C 

4. ISD≤4.4A, di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting(起始)T =25°C 

壹芯微致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产与销售,至今已有20年半导体行业研发、制造经验。目前壹芯微产品已经在便携性设备、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器等领域获得广泛应用,帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制二三极管MOS管产品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们,免费试样热线:13534146615(微信同号) QQ:2881579535 或请咨询官网在线客服。

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【本文标签】:肖特基二极管 快恢复二极管 整流二极管 MOS管 场效应管

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