4N50场效应管参数,4N50参数规格书代换

4N50（4A,500V N沟道功率场效应管）封装形式：TO-252,TO-251,TO-220,TO-220F

4N50规格书(PDF):查看下载

4N50的概述：

4N50是一款N沟道模式功率MOSFET，采用先进技术，为客户提供平面条带和 DMOS 技术。 该技术允许最小的通态电阻和卓越的开关性能。 它还可以承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。

4N50一般应用于高效开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

4N50的特性：

ID=4A

VDS=500V

RDS(ON)=2.0? @ VGS=10V

高开关速度

100%雪崩测试

4N50的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS：500V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏极电流持续(TC=25°C),ID：4A

DrainCurrentPulsedDrainCurrentPulsed(Note3),IDM：16(Note2)A

AvalancheCurrent雪崩电流(注3),IAR：4A

PowerDissipation功耗TO-220,PD：85W

PowerDissipation功耗TO-220F,PD：28W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252,PD：52W

JunctionTemperature结温,TJ：+150°C

StorageTemperature储存温度,TSTG：-55~+150°C

壹芯微4N50规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

壹芯微致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产与销售，至今已有20年半导体行业研发、制造经验。目前壹芯微产品已经在便携性设备、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器等领域获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制二三极管MOS管产品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们，免费试样热线：13534146615(微信同号) QQ：2881579535 或请咨询官网在线客服。